一个问题比较麻烦，就是放置程序代码的只读存储器，要想对其内容进行必须的更新，费时费力。

    在半导体只读存储器发展的历史上，初期广泛使用的是可编程只读存储器prom，其内部有行列式的镕丝，可根据使用者的需要，利用电流将其烧断，从而写入所需资料。

    镕丝一经烧断便不能恢复，也就意味着资料无法更改，这算是真正意义上的只读存储器。

    接下来出现的是可擦写可编程只读存储器eprom，其利用高电压写入资料，并且可以通过预留的石英玻璃透明窗口，用紫外线照射一段时间，从而清空原来的资料，供重复使用。

    &就是当下广泛使用的只读存储器，其麻烦之处在于，紫外线照射清空存储器的过程，往往需要半个小时才能完成，效率实在不敢让人恭维。当初基尔代尔编写cp/m的时候，就深受其苦。

    按照唐焕的记忆，eprom的继任者，电子可擦写可编程只读存储器eeprom的技术已经在1978年的英特尔出现了。

    &的原理类似eprom，但是擦写的方式是使用高电场来完成的，因此要比通过透明窗使用紫外线照射方便快速多了。

    新技术产品的应用必定意味着
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