最近两三年业界一直在喊，5n是晶圆的极限，再低就是量子效应的领域了。实际上，这话也对也不对，就看怎么理解。5n并非pu的极限，只是现在的晶圆材料的极限罢了。其实所谓的极限早在十几年前就有人喊了。0年前他们觉得5n工艺是极限。因为到了5n节点二氧化硅绝缘层漏电已经不可容忍。后来工业界搞出了hkg，用high-k介质取代了二氧化硅，传统的多晶硅-二氧化硅-单晶硅结构变成了金属-highk-单晶硅结构。5n极限说直接告破。5年前他们又觉得22n工艺是极限。因为到了22n沟道关断漏电已经不可容忍。结果工业界又搞出了fi和fd-si，前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力，后者用氧化埋层来减小漏电。3年前他们觉得7n工艺是极限，因为到了7n节点即使是fi也不足以在保证性能的同时抑制漏电。后来工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。于是极限变成了5n。英特尔肯定已经掌握了一种新晶圆材料，所以才会向asl发出5n光刻机的订单。所以说，极限说根本就是哗众取宠。当然，硅基芯片终归是有极限的，只是目前的pu行业暂时还远远达不到硅基的极限。就算真的到了硅基极限，待选的新材料也不少，比
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