到，早在两年前，他们就已经掉进了李怡炫为他们精心设计的坑里面。

    闪存属于高级存储器，对工艺要求极高，必须使用cmos工艺才能达到要求，当英特尔把全部的身价投入进去开发cmos的闪存工艺技术的时候，就已经说明他们基本上放弃了cpu。

    虽然未来的cpu也是cmos工艺，但这两者是完全不同的cmos技术，cpu主要用的是n阱cmos工艺，属于nmos，而闪存更多属于p阱cmos反相器工艺，两者是完全的不同。

    当然，你可以用p阱cmos反相器工艺生产cpu，用n阱cmos工艺来生产闪存，可这么做在经济上非常不划算，用p阱cmos反相器工艺生产的cpu，良品率非常的低，最高不过60%，用n阱cmos工艺来生产的闪存也一样，良品率都不怎么样，这会导致芯片成本过高，成本不划算。

    但反过来就完全不一样了，只有工艺成熟，产业工人的熟练度够高，良品率想要维持在95%以上压力不大。

    至于np同阱cmos工艺，又是另外一种工艺技术了，数码相机上的cmos感光传感器，就需要用到np同阱cmos工艺技术。

    另外，英特尔在2012年
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